SLD90N02T
20V 90A TO-252 N管
20V 90A TO-252 N管
SLD90N02T : 20V 90A TO-252 N溝道 MOS場效應管
SLD90N02T 描述:功率MOSFET采用Maple semi先進的平麵帶狀技術生產(chan) 。這項先進的技術已特別定製,以盡量減少傳(chuan) 導損耗,提供優(you) 越的開關(guan) 性能,並承受高能量脈衝(chong) 在雪崩和換相模式.
特點:N通道:20V 90A RDS(開)典型值=2.8mΩ@VGS=4.5V RDS(開)典型值=4mΩ@VGS=2..5V-極低導通電阻RDS(開)-低CRSS-快速切換-100%雪崩測試-提高dv/dt能力。
應用:PWM應用,負載開關(guan) ,電源管理。